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随着紫外探测器的应用不断向更深紫外波段延伸,高Al组分AlGaN材料及AlGaN紫外探测器的研究成为紫外探测技术的主要发展方向之一。本文采用商用低压—金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备在(0001)方向的AlN/蓝宝石模板上生长得到的AlGaN材料。利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)材料表征技术对AlGaN材料进行了表征。