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本文利用超高真空扫描隧道显微镜,研究了Ag和Sn两种金属在Si(111)衬底的不同重构表面上的初期生长和结构演变过程。通过观察低覆盖度下Ag和Sn在7 ×7表面上的吸附成核,探索有序团簇阵列的制备条件。进一步比较两种金属在各自与硅形成的√3×√3重构表面上的生长行为差异,并根据其生长特性提出一种在√3×√3-Sn表面制备单原子层厚Sn覆盖层的方法。