π/n等效相移光码分多址编解码器研究

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提升码字容量是光码分多址(OCDMA)系统的关键,寻找更优性能的码字构造方法是提高系统软容量的常用途径。绕开复杂的码字构造方法,提出了π/n等效相移的OCDMA编解码器制作方法,该方法在已有码字的基础上通过物理结构的变化可将OCDMA系统软容量提高了5倍。基于光纤光栅平台制作了同码字的π/5和2π/5相移的编解码器,仿真与实验结果表明,π/n相移编解码器可得到优于普通编解码器的性能。
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对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
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