SU-8光刻胶应变分布光学全场检测方法

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由于 SU-8光刻胶的内应力将会影响高深宽比结构的全金属光栅的制作质量,本文针对近年来 SU-8光刻胶应力测量困难的情况,提出了一种基于激光剪切散斑干涉技术的 SU-8光刻胶应变分布测量的新方法。该方法通过对被测胶体加载前后两幅干涉图像的处理,直接得到被测胶体结构的全场应变分布情况,由胶体的应变变形数据即可反映出内应力的变化和分布趋势。同时使用 ANSYS 有限元分析软件对同一被测胶体进行应变仿真模拟研究,获得胶体结构的变形场仿真数据。组建了实验系统,进行了实验验证,结果表明:实际测量变形量约为1.189
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