通过交联抑制高温下氢键的解离提高聚酰亚胺的耐热性和尺寸稳定性

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将炔基结构引入该聚酰亚胺主链中,通过热引发化学交联反应构建化学限域位点,抑制高温下氢键的减弱和解离,进而通过交联和高温下更加稳定的氢键协同性提升了该PI薄膜在高温下的尺寸稳定性.结果表明,相对于线性PI,交联后PI在400 ℃的强氢键含量达到26.1%,与未交联PI相比提高了近50%,从而将300~400℃范围的的热膨胀系数(CTE)从33.8×10-6/K降低至5.1×10-6/K.最终制备的PI膜的Tg高达452℃,40~400℃范围内的CTE仅为2.1×10-6/K,拉伸强度高达231 MPa,有望用于AMOLED的基底材料.
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