【摘 要】
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采用有机化学合成法,利用正三辛基膦（TOP）辅助的快速注入生长方法,改进传统的制备工艺,实现了CdSe/CdS厚壳层核壳（8.6 ML）量子点复合材料的合成制备,并对所合成的核、核壳量子点
【机 构】
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天津市中环量子科技有限公司,南方科技大学电子与电气工程系
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采用有机化学合成法,利用正三辛基膦（TOP）辅助的快速注入生长方法,改进传统的制备工艺,实现了CdSe/CdS厚壳层核壳（8.6 ML）量子点复合材料的合成制备,并对所合成的核、核壳量子点及其复合材料的晶格结构、形貌特点与发光性质进行了XRD、TEM、SEM、UV-Vis、PL表征和红光补偿效果测试.测试结果表明,CdSe核具有立方纤锌矿晶格结构;CdSe/CdS量子点复合材料直径为45-75 μm,呈菱形规则形貌,且颗粒分散性良好.采用该方法,可以提高量子产率,产率由4%（CdSe核）升至48%（CdS
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