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利用Tsuprem4和Medici软件，研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数，如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响，得到了它们之间的关系。计算结果表明，随着LDD掺杂剂量的变化，KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值，在掺杂为2×10^12 cm^-2时达到最小。而LDD掺杂能量对KINK效应的影响是线性的，即随着离子注入能量的增加，KINK效应的影响变小。