聚合物前驱体热解制备SiC纳米线研究

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采用催化剂辅助聚合物前驱体热解工艺制备出宏量碳化硅纳米线(SiCNW),研究了基底材料、热处理温度及催化剂加载量等参数对所制备SiCNW微观结构形貌的影响规律.借助扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析(XRD)等分析测试手段对SiCNW的晶体结构和微观形貌进行表征,并分析了其生长机制.研究结果表明:制备的SiCNW为面心立方单晶结构的β-SiC,平均直径约为400 nm.随着热处理温度的提高,SiCNW的形貌由弯曲状生长转变为直线状生长,纳米线的直径也随之增加,在高温出现链珠
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