【摘 要】
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采用分子束外延（MBE）方法在蓝宝石衬底上外延生长m面Ga N薄膜。利用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面
【机 构】
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深圳大学光电子器件与系统（教育部、广东省）重点实验室,深圳大学师范学院,国立台湾大学光电所暨电机系
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采用分子束外延（MBE）方法在蓝宝石衬底上外延生长m面Ga N薄膜。利用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07nm。利用光谱型椭偏仪研究m面Ga N薄膜,得到了m面Ga N薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,Ga N样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。
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