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采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49．57％Ni-5．6％Cu合金薄膜。XRD图谱表明，该薄膜为非晶态。对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现：薄膜分别经550℃×0．5h、650℃×0．5h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180MPa、2．7％；90MPa、1．4％。