【摘 要】
：
对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,
论文部分内容阅读
对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应能力达到技术指标要求。
The ION single-particle irradiation experiments were performed on N-channel power VDMOS devices with source-drain breakdown voltages of 400 V and 500 V. The SEGR effects of the two power devices under different biasing conditions were discussed. The results show that when the gate-source voltage is 0 V and the drain-source voltage is the breakdown voltage, the device does not have a single-particle effect, indicating that the single-particle effect capability of the two power devices with the stars meets the technical requirements.
其他文献
结合机组生产带钢性能参数,设计核算迁钢冷轧连续退火机组入口段1号张力辊辊径及材质、带钢包角、张力放大系数以及减速机、传动电机等相关技术参数,验算电机功率满足现场实
对1999-2019年在我国申请的冷轧取向硅钢涂层的专利数量、专利技术领域分布进行了统计.统计分析结果表明:目前在我国申请的冷轧取向硅钢涂层专利有121项,其中国内有96项,国外
通过拉伸试验和金相组织分析,对采用冲床、铣床、激光切割3种不同加工方式的高牌号无取向电工钢的室温力学性能进行分析,结果表明:从加工面来说,铣削、激光加工面相比冲床加
针对马钢冷轧总厂单机架可逆轧机的点冷系统在生产过程中出现的各种故障,结合长时间的处理经验,对点冷系统故障排查和解决方法进行系统性研究和总结,提出一种行之有效的排查
对连续通板的钢带增氮处理,可采用由辉光放电产生的等离子体加以氮化,而不用氨气氮化,从而高精度地控制增氮量,并且增氮量均匀波动小,增氮处理的时间也大大缩短,从而获得磁性
本文介绍了日本JFE公司以氮化硅为抑制剂的高磁感取向电磁钢板的生产方法,在二次再结晶完成时氮化硅分解失效,N原子要净化出钢板,其净化方式有气相释放和被膜沉积两种.应促进
本文介绍了日本JFE公司以氮化硅为抑制剂的高磁感取向电磁钢板的生产方法,当钢板一次再结晶脱碳和增N处理完成后涂布退火隔离剂,其隔离剂含水率与二次再结晶升温过程中释放的
上海光源(SSRF)直线加速器正常运行时,重复频率2 Hz,单束团脉宽l ns,电荷量1 nC.近年来,国际同步辐射领域发展起来的恒流注入模式要求直线加速器以弱流强运行,在相同的重复频
介绍了当前用于粒子加速器准直测量及监测地球潮的静力水准系统。根据地球潮汐(包括海洋潮和固体潮)理论,分析了地球潮汐对静力水准系统的影响,并对获得数据进行频谱分析,得出潮汐周期约为11.6、23.1和7.7 h,即半日潮汐、周日潮汐、1/3日潮,初步验证了地球潮汐对HLS的影响。
介绍一种峰值电压190V、峰值电流16A扫描磁铁开关电源设计.该电源采用脉宽调制(PWM)和Buck 电路控制实现输出电压连续可调,结合IRS2453D和IR2110进行H桥逆变驱动,并具有过流