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本文提出了低温区高精度的禁带宽度的表达式,获得了低温区本征载流子浓度的简明公式。考虑到禁带变窄效应的作用,本文导出了重掺杂硅中本征载流子浓度与温度和杂质浓度的关系式。与常温情况相比,低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。
硅低温本征载流子浓度的计算
【摘 要】
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本文提出了低温区高精度的禁带宽度的表达式,获得了低温区本征载流子浓度的简明公式。考虑到禁带变窄效应的作用,本文导出了重掺杂硅中本征载流子浓度与温度和杂质浓度的关系
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京210018,南京210018,南京210018
【出 处】
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电子科学学刊
【发表日期】
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1992年3期
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