【摘 要】
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在集成电路（IC）行业中,化学机械抛光（CMP）是获得全局平坦化的技术.随着晶圆直径的增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现“过磨（over-grinding）”现象,降低了平坦度和晶圆利用率.
【机 构】
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西北工业大学材料科学与工程学院,西北工业大学生命科学院
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在集成电路（IC）行业中,化学机械抛光（CMP）是获得全局平坦化的技术.随着晶圆直径的增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现“过磨（over-grinding）”现象,降低了平坦度和晶圆利用率.在晶圆外部施加保持环可以把晶圆中心处和边缘处的抛光垫压平到一致高度,克服晶圆边缘的“过磨”现象.由此说明,保持环上施加的压力起着至关重要的作用.在实际中,晶圆和CMP工艺成本高,依靠实验探索CMP加工后晶圆边缘效应的规律不可行,所以保持环压力不宜通过实验方法确定,需要借助其它方法预测该压力.文中采用有限元模拟的
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