【摘 要】
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Based on the silicon-on-insulator(SOI) technology and radiation-hardened silicon gate(RSG) process, a radiation-hardened high-voltage lateral double-diffused MO
【机 构】
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The58thResearchInstituteofChinaElectronicsTechnologyGroupCorporation
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Based on the silicon-on-insulator(SOI) technology and radiation-hardened silicon gate(RSG) process, a radiation-hardened high-voltage lateral double-diffused MOSFET(LDMOS) device is presented in this paper. With the gate supply voltage of 30 V, the LDMOS
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