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采用X射线光电子能谱对后处理前后的低温碳管（LT-CNTs）进行表面特征分析．发现纯化后碳管的O／C原子比升高，经过Ar气保护下的高温煅烧的后处理后，其O／C原子比降低，比表面积增大．对Cls峰的拟舍分析表明，碳管表面的含氧基团发生改变，深度纯化碳管时，大量活性碳原子变为羟基（C-O），大量的羰基（C=O）变为羧基（O-C=O）．同时，大部分化学吸附的氧气将解吸，氧气的解吸将使C-O键或O-C=O转变为C=O双键等形式，且伴随碳管电学性质的改变，由明显的金属性转变为半导体性．