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Distribution of Ge Self-Assembled Quantum Dots on Six Ge1 - x Buffer Layers

来源 :中国稀土学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xyhai110

【摘 要】

：

The effect of buried misfit dislocation on the distribution of Ge self-assembled quantum dots (SAQDs) grown on a relaxed SiGe buffer layer was investigated. The

【作 者】

：

Joonyeon Chang Hyungjun Kim 

【机 构】

：

NanoDeviceResearchCenter

【出 处】

：

中国稀土学报：英文版

【发表日期】

：

2004年z2期

【关键词】

：

MISFIT DISLOCATION Ge self ASSEMBLED quantum DOTS molecular beam EPITAXY transmi 

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The effect of buried misfit dislocation on the distribution of Ge self-assembled quantum dots (SAQDs) grown on a relaxed SiGe buffer layer was investigated. The strain field of arrays of buried dislocations in a relaxed SiGe buffer layer provided preferen

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