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为了提高D触发器的速度、降低功耗、缩小面积,本文对常用D触发器进行分析,综合各自优缺点,优化最高频率,设计出一款新型带清零的半静态D触发器,采用华润上华0.6μmN阱CMOS工艺,版图面积为46.500×40.350(μm).该触发器的最高频率为356MHz,运用她构成二分频器并仿真成功.
新型带请零的半静态D触发器芯片设计
【摘 要】
：
为了提高D触发器的速度、降低功耗、缩小面积,本文对常用D触发器进行分析,综合各自优缺点,优化最高频率,设计出一款新型带清零的半静态D触发器,采用华润上华0.6μmN阱CMOS工
【机 构】
：
三江学院;南京拓微集成电路有限公司
【出 处】
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电子世界
【发表日期】
：
2004年期
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