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研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况。分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况，并列表进行了对比；分析了暗电流受辐射增大的规律；分析了平带电压和阈值电压受辐射后的漂移现象。初步确定了CCD敏感参数的辐射损伤阈值范围。
辐射损伤诱发CCD敏感参数退化分析
【摘 要】
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研究了CCD敏感参数受辐照后的退化情况。分析了电荷转移效率受不同粒子辐照后的退化情况，并列表进行了对比；分析了暗电流受辐射增大的规律；分析了平带电压和阈值电压受辐射后的
【机 构】
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清华大学工程物理系,西北核技术研究所
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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2010年2期
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