开态热载流子应力下的n-MOSFETs的氧化层厚度效应

来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ying33809
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
在最大衬底电流条件下(Vg=Vd/2),研究了不同氧化层厚度的表面沟道n-MOSFETs在热载流子应力下的退化.结果表明, Hu的寿命预测模型的两个关键参数m与n氧化层厚度有着密切关系.此外,和有着线性关系,尽管不同的氧化层厚度会引起不同的模型参数,但是如果对于不同厚度的氧化层,采用不同的m与n,Hu的模型仍然成立.在这个结果的基础上,Hu的寿命预测模型能用于更薄的氧化层.
其他文献
运动训练越来越重视运动员体能的发展,体能是机体从事任何一项身体活动的基础。体能训练以身体素质训练为主,通过身体素质训练改善身体形态和生理机能,进而提升整体体能水平。因
本文通过对荣华二采区10
期刊