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英国Crystal Comm公司已发展了一种热环境，据称可使磷化锢（InP)单晶的液封恰克拉斯基法生长发生革命。InP是最适于最新一代光束的基质材料，其光缆的最佳传输特性在1300~1550 nm范围。这种兼 容性表明，InP是制造在现代光纤通讯系统波长范围工作的激光器和光电二极管的优良材料。
InP单晶生长新工艺
【摘 要】
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英国Crystal Comm公司已发展了一种热环境，据称可使磷化锢（InP)单晶的液封恰克拉斯基法生长发生革命。InP是最适于最新一代光束的基质材料，其光缆的最佳传输特性在1300~1550 nm范围。这种兼 容性表明，InP是制造在现代光纤通讯系统波长范围工作的激光器和光电二极管的优良材料。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1988年25期
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期刊
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