【摘 要】
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采用动电位极化法、电化学阻抗谱法和恒电流放电法研究添加0.01%Ga(质量分数)对Al−0.4Mg−0.05Sn−0.03Hg阳极的显微组织和在NaOH溶液中的电化学性能的影响。结果表明,Ga的添加增强Al−Mg−Sn−Hg阳极的耐蚀性和放电活性,这得益于Ga的加入能细化Al−Mg−Sn−Hg阳极的第二相,使显微组织更加均匀,从而抑制局部腐蚀和块效应。与Al−Mg−Sn−Hg阳极相比,Al−Mg−Sn−Hg−Ga阳极的腐蚀电流密度降低57%,质量损失率降低93%。在20 mA/cm2
【机 构】
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中南大学材料科学与工程学院,中南大学电子封装与先进功能材料重点实验室
【基金项目】
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This work is supported by the Equipment Pre-research Laboratory Foundation in Central South University,China(No.6142912200104).
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采用动电位极化法、电化学阻抗谱法和恒电流放电法研究添加0.01%Ga(质量分数)对Al−0.4Mg−0.05Sn−0.03Hg阳极的显微组织和在NaOH溶液中的电化学性能的影响。结果表明,Ga的添加增强Al−Mg−Sn−Hg阳极的耐蚀性和放电活性,这得益于Ga的加入能细化Al−Mg−Sn−Hg阳极的第二相,使显微组织更加均匀,从而抑制局部腐蚀和块效应。与Al−Mg−Sn−Hg阳极相比,Al−Mg−Sn−Hg−Ga阳极的腐蚀电流密度降低57%,质量损失率降低93%。在20 mA/cm2
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