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美国SanDisk和东芝在“ISSCC2008”上发布了采用每单元3bit多值技术的56nm制造工艺16Gbit NAND闪存。这是每单元3bit的多值NAND闪存首次亮相ISSCC。写入时的数据传输速度为8MB／秒，是56nm制造工艺的每单元2bit产品的数据传输速度（10MB／秒）的4／5左右。