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利用常规的真空蒸发技术，在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜。用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察，研究了蒸发沉积蒽膜时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式，并借助X射线衍射仪（XRD）分析了薄膜的结晶状态。结果显示：蒽膜生长时，蒽的临界核以Volmer—Weber模式生长，即蒽首先形成许多三维岛状的晶核，核长大增高为岛，然后在蒽离域大π键的作用下，相邻的两层蒽分子存在一定程度的交叠，岛与岛相互连接构成岛的通道，最后形成均匀致密、具有良好晶体特性的多晶薄膜。