【摘 要】
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利用射频磁控溅射法在Pt（200）/TiO2/SiO2/Si（100）衬底上沉积Ba0.8Sr0.2TiO3/CoFe2O4异质结层状多铁磁电耦合复合薄膜。Ba0.8Sr0.2TiO3/CoFe2O4异质结复合薄膜为多晶,由钙钛矿Ba0.
【基金项目】
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江西省自然科学基金资助项目(20151BAB212007)
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利用射频磁控溅射法在Pt（200）/TiO2/SiO2/Si（100）衬底上沉积Ba0.8Sr0.2TiO3/CoFe2O4异质结层状多铁磁电耦合复合薄膜。Ba0.8Sr0.2TiO3/CoFe2O4异质结复合薄膜为多晶,由钙钛矿Ba0.8Sr0.2TiO3相和尖晶石CoFe2O4相组成。复合薄膜表现为良好的铁电性和铁磁性共存。在测量磁场平行于样品表面情况下测得的复合薄膜的饱和磁化强度（Ms）、剩余磁化强度（Mr）值要大于在测量磁场垂直于样品表面时测得的Ms、Mr值。另外,复合薄膜具有直接的磁电耦合效应,磁电电压系数αE先随着偏置磁场Hdc的增大而增大,当偏置磁场Hdc增加到445.8kA/m后,αE反而随偏置磁场的增加而减少。当偏置磁场Hdc=445.8kA/m时,复合薄膜具有最大的磁电电压系数αE=18.8mV/A。
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