随着各类移动设备在人们日常生活中的普遍应用,作为非易失性存储器种类之一的Nand Flash,越来越发挥着重要的作用。由于Nand Flash的物理结构特点,容易发生错误,如何保证数据的可靠性,成为Nand Flash应用能否成功的关键技术之一。因此,采用纠错码的纠错控制技术成为Nand Flash应用中的关键一环,得到了广泛的应用和研究。线性分组码被认为最适合在Nand Flash等存储上应用,因此业界根据不同Nand Flash的要求差异,使用汉明码、RS码或BCH码等作为纠错控制所需的纠错码。本文将以用于Nand Flash的纠错码作为研究对象,分别详细介绍汉明码、RS码、BCH码,并对其VLSI实现作相应分析和研究。低密度奇偶校验码作为接近香农限的好码,成为当前研究热点,本文也将对其作详细介绍,并分析其应用于Nand Flash的可行性。