化学气相沉积法(CVD)是目前石墨烯工业化制备中使用最广泛的一种方法,但是由于反应时对温度要求很高,造成对能源的浪费和工业制造成本的提高。等离子体辅助CVD法(PECVD)可以有效降低反应所需的温度,使可选择基底范围扩大,除此之外,plasma对反应气的电离可以使得很多化学性质稳定的分子气体化学键发生断裂,因此PECVD法可选择的碳源范围也更广。本文通过扫描、透射电子显微镜,拉曼光谱等表征手段表征样品的形貌、结构和晶型,研究常规甲烷PECVD法生长石墨烯的影响因素,在此基础上,改变耐温较低的铜纳米线为反应基底以及化学性质稳定的二氧化碳为碳源,探索PECVD在不同基底和不同碳源条件下的可行性及优越性。以铜纳米线为基底直接生长石墨烯,实现了石墨烯对铜纳米线的低温包覆,包覆结果完整且无需转移,测量石墨烯包覆铜纳米线复合材料电学性能,发现其导电性相较于纯铜纳米线不仅仅没有降低,反而有些许的提高。除此之外,石墨烯铜纳米线复合材料的抗氧化性显著提升,在空气环境中放置45天后依然保持着很高的导电性。化学气相沉积法在低温条件下难以形成质量较高的石墨烯,但是二氧化碳在高温条件下难以与氢气作用转化为碳,plasma可以有效的在二氧化碳进入反应炉前先将其活化,使活化后的二氧化碳等离子体在低温条件下具备较高的活性而形成石墨烯。通过ICP-OES设备检测,发现氢气在合成过程中起到了至关重要的作用。这一发现有望实现二氧化碳对甲烷的石墨烯碳源替换,为石墨烯的清洁制备提供一种新思路。