核内中子、质子的分布和尺寸是研究核物质特性的基本物理量。在放射性束流（RIB）出现以前，中子、质子的分布和尺寸的研究主要是通过电子散射实验和质子散射实验，且研究的核也仅限于稳定核。随着放射性束流的发展，各类加速器的建设，实验方法的改进，研究范围逐渐扩展到远离稳定核甚至到中子、质子滴线附近，极大的推动了放射性核束物理的发展。随着实验的进行，更多的新物理现象被发现，这也使得人们对核物质的结构研究逐渐深入。　　I.Tanihata等人首次提出了中子皮和中子晕的概念，用来解释实验上一些轻核的相互作用截面异常现象。对于丰中子核，其中子密度分布的半密度半径明显大于质子密度分布的半密度半径，我们称这种核为中子皮核。并用公式进行定量的描述，将中子与质子均方根半径之差定义为中子皮厚度，即δnp=Rn-Rp。中子皮的研究对非对称性核物质状态方程及其对称能、中子星的结构及特性都有重要意义。按照定义，我们需要测量出中子、质子的均方根半径，进而可以得出中子皮的厚度。从这个角度出发，在理论上本文利用核物质的反应总截面及电荷均方根半径（或电荷改变截面）提取丰中子核Na（或B，C，N，O，F）同位素的中子、质子的密度分布，得出了中子、质子的均方根半径;在实验上测量了28-32Al同位素的电荷改变截面值。　　在理论方面，我们利用统计擦碎模型结合相互作用总截面和电荷均方根半径，提取Na同位素的中子密度分布，得到了Na同位素中子均方根半径。并利用电荷均方根半径，得出了质子均方根半径。最后由中子皮厚度公式进一步得出了Na同位素的中子皮厚度，25-31Na的δnp的范围为(0-0.3 fm)。且δnp随核的质子中子分离能之差的增加而增加，此结果与I.Tanihata等人用平均场理论预言的中子皮厚度的变化趋势完全一致，表明了用统计擦碎模型提取密度分布的方法是可行的。根据20-23Na的δnp＜0，预言这些核可能存在质子皮结构。接下来我们将质子、中子半径常数引入统计擦碎模型中，并结合相互作用总截面和电荷改变截面实验数据提取了B，C，N，O，F同位素的质子和中子均方根半径，并得到了中子皮厚度，其变化趋势与理论也是完全一致的。并且通过比较发现，理论计算的质子均方根半径与目前实验结果十分吻合，同时也弥补了很多核的质子均方根半径的空缺。　　在实验方面，我们利用2012年5月兰州近代物理研究所重离子国家实验室进行的实验，离线分析处理了Al同位素的实验数据，在实验上测量了50MeV/A左右的28-32Al同位素的电荷改变截面值(σcc)。其中28Al的σcc值为(1566.51±98.05) fm，29Al的σcc为(1528.36±78.12) fm，30Al的σcc为(1942.61±84.14) fm，31Al的σcc值为(2115.98±95.94) fm，32Al的σcc值为(2018.55±53.03)fm。这一结果有望与其他实验数据进行结合，提取质子中子均方根半径，并进一步提取中子皮厚度。