有机半导体材料与器件由于其低成本低能耗等优点，在当前能源与环境问题日益严重的情况下备受瞩目，并且已经在平板显示，低端电子产品，传感器、能源等方面显示出极大的应用潜力。如何认识并提高有机半导体的本征性质始终是最核心的问题。因此本论文工作主要集中在扩展态有机半导体的本征性质的研究以及人工扩展态材料的构筑。　　 1.首先研究了异质结作用下的类单晶半导体的扩展态传输行为，论证了异质结效应下半导体扩展态的本质，证实了高品质异质结薄膜符合能带模型。在CuPc/F16CuPc异质结体系中观测了Hall效应并进行电输运过程的研究，揭示了扩展态载流子传输中参与浅陷阱多重捕获释放的过程。　　 2.Hall效应实验表明异质结效应作用下类单晶薄膜中迁移率达到，1.2 cm2/Vs(CuPc)和2.4 cm2/Vs(F16CuPc)，这些数值反映的是不受界面散射、势垒限制等因素影响的半导体本征迁移率。　　 3.制备了类单晶的扩展态异质结半导体，实现了不同半导体材料的异质外延生长。通过阀值电压漂移实验表征了类单晶CuPc/F16CuPc异质结空间电荷区的本征厚度，达到40nm，并通过二极管和电导实验证明陷阱浓度等薄膜质量因素影响了空间电荷区厚度和电导能力等异质结参数。　　 4.实现了人工有机半导体晶体—有机超晶格的制备并揭示出超越单质材料的薄膜生长行为和物理性质。通过研究多周期的H2Pc/F16CuPc异质结薄膜，定量表征出两种扩展态半导体间的外延关系，证实了超晶格结构的存在。　　 5.超晶格中新的电子结构导致了扩展态半导体中新的电传输现象的出现。空穴和电子周期分布于超晶格中，并且在H2Pc和F16CuPc层中分立传输。在平行于界面的方向上，仍然服从多重捕获释放控制的扩展态输运机制，电导率比普通单质材料高4个量级；在垂直于界面的方向上，空穴和电子以隧穿的形式在周期结构间传输，表现出几乎不受温度影响的传输过程。