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通过微波快速膨胀-超声处理工艺，从可膨胀石墨制备了纳米石墨片（GNSs），通过表面修饰-溶液混合工艺，制备了环氧树脂/纳米石墨片（ER/GNSs）块体和硅橡胶/纳米石墨片（SR/GNSs）薄膜导电复合材料。采用XRD、SEM，对GNSs及复合材料的结构进行了表征，测量了复合材料的电阻，探讨了其与压力、温度、时间的关系。ER/GNSs、SR/GNSs两个体系均显示渗流电导行为，其渗流阀值较低，分别为6wt%、6.5wt%，这与GNSs特殊的形貌和很好的连通性有关。数据拟合显示，两种复合材料的导电行为符合经典的Stauffer渗流模型，其标度因子t=1.6～2。SR/GNSs体系的面内电阻规律性优于面外电阻，暗示GNSs在旋涂制备中为面内取向。在T=30℃~140℃，ER/GNSs体系电阻显示较好的负温度系数（NTC）效应，这是由于在热扰动作用下，电子热激发增强，隧道跳跃几率上升，导致复合材料电阻率下降。超过渗流阈值，SR/GNSs体系电阻具有正温度系数（PTC）效应，说明基体膨胀对增大隧道距离、隧道电阻有较大贡献，电子的热激发被遏制。ER/GNSs体系电阻显示较好的负压力系数（NPC）效应，SR/GNSs体系的面内电阻显示正压力系数（PPC）效应，前者与压致小应变使GNSs隧道距离减小有关，后者与压致面内延展使GNSs隧道距离增加有关。循环压阻试验显示，两个体系尤其是ER/GNSs体系具有良好的压阻稳定性，100次循环的电阻漂移甚微。两个体系的电阻-压力含量关系可以用Simmons-Ruschau压阻模型解释，说明复合材料的导电网络与大量的电子隧道电阻组成的串联、并联电阻网络相当，外加压力通过高分子基体的线性变形，影响电子传递的隧道电阻，从而引起材料电阻对压力的宏观响应。