在如今科技水平飞速发展的环境下,移动终端和智能家居已经普及在人们的生活中。为了满足人工智能对硬件设施的需求,工艺节点的持续更新换代,相同面积的晶圆中集成的晶体管也呈现出指数型增长的趋势。SRAM作为速度最快的存储设备,在SoC中所占比重也逐渐的增加,伴随着SRAM容量的增大,SRAM受到晶体管阈值电压不匹配的影响也越来越大。本文为了有效的降低灵敏放大器的失调电压,提出了一种自适应分布数字校准型灵敏放大器,进而加快SRAM的读取速度,减少功耗。本文主要工作如下:一、介绍了SRAM的整体架构,分析了读、写和保持三种工作状态,其中读操作为SRAM的时序关键路径。然后说明了灵敏放大器在读操作中发挥的作用,根据输入端数据的类型,灵敏放大器主要分为电压型灵敏放大器和电流型灵敏放大器两种。电压型灵敏放大器具备较为简单的电路结构,性能稳定高效,但是输入端需要一定的差分电压,因此受位线负载电容的影响较大。电流型灵敏放大器输入位线电流,速度快,不受位线负载电容的影响,但是电路结构较为复杂,工艺波动会严重影响其稳定性。对比分析了三种常见的灵敏放大器结构的优势,仿真验证了传统耦合锁存型灵敏放大器具备较为优异的抗工艺波动能力。二、分析差分型灵敏放大器失调电压产生原理,叙述了几种通过不同途径降低失调电压的校准方法,详细介绍了各种方案的电路原理和工作方式,通过仿真验证各种设计的失调电压改善效果,分析各自存在的优点和不足。三、本文提出了一种自适应分布数字校准型灵敏放大器,详细分析了电路结构,理论推导和工作原理。在增加少量外围电路的条件下,通过控制内部节点之间传输门NMOS栅压,可以减小晶体管失配的影响。校准后失调电压可以有效降低57.1%(TT工艺角下),并且在不同工艺角和温度下仿真验证自适应分布数字校准型灵敏放大器的效果,蒙特卡洛仿真结果显示校准后失调电压改善效果达49.9%～58.3%。