作为一种新型的纳米材料,纳米管具有优异的化学、物理以及机械性质。例如,TiO2纳米管展现了很好的光电、催化、传感性能等优点,而BN纳米管拥有很好的热稳定性以及机械性能,制成的器件在一些极端苛刻条件依然具有可靠性。本论文主要是分别研究了TiO2纳米管和B N纳米管的集中效应和单根性质,目的是基于两种材料的性质探索器件制造以及应用。 　　首先,应用电化学阳极氧化法在纯T i基底上制备高度有序的Ti〇2纳米管阵列,并通过恒电流金属沉积的方法对其进行改性,考察了其光催化性能,发光性能与对有机物的降解性能。通过实验曲线与实验结果,发现恒电流金属沉积对Ti〇2纳米管阵列的光电催化性能与荧光性能都产生了比较明显的提高。在紫外光的实验条件下,金属掺杂的样品比未掺杂的样品对甲基橙的降解率有明显提高；但是对可见光的响应不明显。 　　其次,制备出基于BN纳米管的两端器件以及三端场效应晶体管。在众多制备基于纳米管的纳米接触方法中,电子束曝光(EBL)-金属蒸发-溶脱是最有效的制备高表面质量的纳米结构接触的技术。通过测量单根BN纳米管I-V特性曲线可知,载流子浓度高度依赖于栅电压和测试温度。通过拟合I-V数据,发现导出的理想因子偏离1,这表明了对于BN纳米管和金属N i接触还存在像隧道效应这样的载流子输运机制。