硅基Ge:SiO、SLEC结构的光电特性研究

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获得硅基发光是实现硅基光电子集成、硅基显示的关键,因此人们对于硅基发光材料的关注程度与日俱增.该论文首先对于硅基锗掺杂二氧化硅薄膜(Ge:SiO<,2>)的紫光发射(PL)、电致发光(EL)特性进行了详细研究.此外,创造性地将单离子传导聚合物电化学发光单元(SLEC)制备到硅衬底上,并对其光电特性进行了研究.
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