GaN-LED固态照明的研究发展至今,如何提高其发光效率是一个迫在眉睫的课题。研究表明,GaN-LED的內部量子效率可以达到70%以上,而外部量子效率仅为14%,因此如何改善LED的外部量子效率是固态照明的重要课题之一。针对提高LED出光效率的研究,本文结合热压印工艺,提出了一种非接触式热压印制作微透镜阵列的方法。相对于其它方法有以下优势:简单易行的工艺过程,低廉常见又有着良好光学特性的材料,大面积大批量快速制作的可行性,好的器件质量。并通过制作微透镜和光栅,论证了压印工艺的优势。本文首先介绍了现行的提高LED的各种方法,并指出在LED芯片上制作微结构是比较有效的思路。首先,针对热压印中所使用的材料进行了分析和比较,选定了本文压印试验的聚合物材料,并进行了热压印特性试验。在热压印模板制作方面,选取了光学光刻结合ICP刻蚀的方法制作了石英模板,并对石英模板质量进行了分析。在压印试验方面,研究了压印参数对样品成型的影响,并对PMMA、PS和PC的热压成型进行了比较和分析。此外,本文对非接触式压印的原理进行了研究,并对压印过程中聚合物材料的成型过程进行了有限元仿真。最后,针对试验中所使用的压印设备,提出和设计了一些改进方案,包括气辅式脱模机构、带冷却功能可均匀加热的加热器、高精度XY微调平台等。