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ZnO是一种直接带系半导体化合物,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,光子增益为320cm~(-1),因此ZnO薄膜作为具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料,在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途。但是未掺杂ZnO薄膜由于其本征缺陷造成的化学计量比失衡特别是氧空位(Vo)和锌间隙原子(Zn_i)使其成为天然的n型半导体。而理论计算预言了氮元素可以在ZnO薄膜中形成浅