将晶体三极管的基极和集电极短路，放在恒温烘箱中，待温度稳定后，测量在该温度下输入电流I<,F>依次为1mA，2mA，5mA，10mA，20mA时发射结正向压降VBE的数值，这样测量得到的数据称为本底数据。测量不同型号的晶体三极管在不同温度下的本底数据，分析这些数据，发现在25℃到145℃的温度范围内，以发射结正向压降VBE为横坐标，以输入电流的自然对数ln(I<,F>)为纵坐标，每一个温度对应的图像为一条直线。将不同温度对应的直线延长，它们在第一象限近似汇聚于一点。各条直线的交点并不重合，但是由于各个汇聚点的横坐标的变化范围相对较小，可以认为它们汇聚在同一点上，各个汇聚点的横坐标的平均值作为整体的汇聚点的横坐标。log(I<,F>)-VBE曲线簇也具有类似的汇聚特性。 汇聚点对应的横坐标V<,F>由绝对零度时导带底和价带顶的电势差V<,gO>和nk<,0>T<,1>γ两部分组成，后者在V<,F>中所占的比例很小。不同型号的晶体管的V<,F>不同是由于掺杂浓度不同导致的禁带宽度不同。对肖特基二极管，进行类似的实验，证明同样存在类似的汇聚特性，理论分析和实验结果都证明汇聚点的物理意义与双极型晶体管相同。汇聚的特性以及汇聚点的物理意义可以从p-n结扩展到金半结和异质结，从硅、锗扩展到砷化镓、磷化铟、氮化镓等新型半导体材料，从双极型晶体管扩展到肖特基二极管、MESFET、异质结紫外发光二极管等等。温度越高，发射结正向压降V<,BE>变化相同数值所对应的输入电流I<,F>的变化越小。通过计算和拟和的方法都可以得到ln(I<,F>)～V<,BE>直线的斜率随温度变化的关系，计算值和拟和值符合得很好。 晶体管本底数据的汇聚特性可以用来研究晶体管的电学性质。先拟和出斜率和温度的关系，求出任意温度对应的直线的斜率，再求出汇聚点的坐标。这样，既知道直线的斜率，又知道这条直线经过汇聚点，任意温度对应的I-V特性曲线都可以做出来。利用这一方法，对晶体管的红外热像图进行分析，把晶体管热谱和本底数据结合起来，可以求出晶体管在拍摄红外热像图时的I-V特性曲线。对晶体管的本底数据进行处理，以电压为横坐标，以电流的自然对数为纵坐标，以温度为参数，每一个温度对应的图像近似为一条直线，通过拟和得到温度与直线的斜率的关系。由晶体管在拍摄红外热像图时的I-V特性曲线，改变纵坐标为电流的自然对数，I-V特性曲线近似为一条直线，求出直线的斜率根据温度与直线的斜率的关系就可以求出此时的结温。