随着现代实验技术的发展，越来越多的纳米簇被成功研制出来，但无法从实验上获得这些团簇的几何和电子结构的全面微观信息，因此理论研究成为获得团簇结构信息最有效的途径，尤其是基于密度泛函理论的计算，可以对中等尺寸的体系得到精确度相当高的计算结果。因此，本文基于第一性原理，利用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)方法，对NiSi<,n>(n=1～13)团簇和Y<,n>Al(n=1～14)团簇的稳定结构，相对稳定性，能隙，电荷转移以及磁性进行了系统的研究。 首先，利用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)系统研究了NiSi<,n>(n=1～13)团簇，在充分考虑自旋多重度的基础上讨论了这些团簇的生长行为，电子性质及其磁性，结果表明：NiSi<,n+1>的基态结构是在NiSi<,n>的基态结构上带帽一个Si原子而得到；掺杂Ni原子提高了硅团簇的稳定性；NiSi<,10>团簇的稳定性在所有团簇中是最高的；当n=1，2时，团簇的自旋总磁矩为2μ<,B>，当n≥3时，团簇的磁性消失，这可能与Ni原子内部较强的sp-d杂化以及Si原子内部的s-p杂化有关。 其次，我们选择Al原子作为杂质原子，利用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)系统研究了Y<,n>Al(n=1～14)团簇的几何构型，稳定性，电子和磁性质。结果表明，除了Y<,9>Al团簇，Y<,n>Al团簇的最稳定构型总体上与Y<,n+1>的基态构型相一致。掺杂Al原子增强了钇团簇的稳定性。此外，所有不同尺寸的Y<,n>Al团簇中，Y<,12>Al的相对稳定性是最高的，很可能与它的高对称性构型有关。掺杂Al原子后，绝大多数钇团簇的平均磁矩有所降低，尤其是Y<,13>掺杂Al原子后，其磁矩完全淬灭，这一现象跟4d巡游电子的自旋交换作用消失有关。最后讨论了Y<,n>Al团簇的前线轨道性质。