SiGe异质结晶体管提高了硅基晶体管的性能，而且某些方面的性能达到了GaAs材料器件才能取得的水平。目前，大量关于SiGe HBT的研究工作都着眼于更大限度的发挥SiGe HBT的性能优势。为了提高微波功率SiGe HBT的性能，本研究提出了一种新结构的微波功率SiGe HBT。 异质结晶体管，特别是现代高速异质结晶体管，集电结电容是限制频率特性的主要因素之一。外基区下的集电结电容占整个集电结电容的大部分，减小此部分的电容将提高晶体管的频率性能。本研究的新结构微波功率SiGe HBT提出的思想就在于降低外集电区的电容以达到提高SiGe HBT性能的目的。新结构的特点是外基区下的集电区采用SiO₂槽的结构，由于SiO₂较低的介电常数值，降低了集电结电容，从而提高频率性能。针对新结构微波功率SiGe HBT的结构特点和工艺条件，我们设计了切实可行的工艺流程，并且解决了SiO₂填埋后的平坦化工艺。 本论文重点是通过二维器件仿真来分析新结构微波功率SiGe HBT的性能特点，为器件的优化提供充足的条件。仿真器件的结构有两种，主要的不同在于集电区的厚度（0.5μm和4.5μm），工作电压分别为V_CE=4.5V和28V。仿真的结果表明，随着集电结电容的减小，新结构的微波功率SiGe HBT性能有显著的提高，功率增益普遍提高2-3dB，最高振荡频率提高近10％-25％。 新结构提高了微波功率SiGe HBT的性能，但仿真结果发现对于集电区厚度较大的晶体管，槽对器件的性能也有负面的影响。因为SiO₂槽的存在，限制了集电区电流，Current Spreading效应对Kirk效应的延迟作用减弱，导致了Kirk效应的提前发生。