由于钒是一种过渡金属元素,可与氧结合形成多种价态的氧化物,并且在光电转换、热敏特性方面表现出了优异并且独特的性质,因此氧化钒薄膜成为国内外的研究重点。目前对氧化钒的研究重点主要集中在器件方面,如光辐射防护薄膜、光学数据存储、太阳能电池及军用激等应用。本论文在低温下以高纯金属钒作靶材,用直流／射频磁控溅射的方法在载玻片与硅片上制备出了氧化钒薄膜。通过设计正交试验表,系统分析了氩气和氧气的流量比,溅射功率,工作压强,基底温度对氧化钒薄膜的TCR、沉积速率的影响,得到这四个因素对TCR值和沉积速率影响的趋势。通过对正交实验结果的分析,获得最佳工艺参数,即氩氧流量比100：4,溅射功率120W,工作气压2Pa,基底温度300℃。制备具有较高TCR值的氧化钒薄膜。文中采用X射线光电子能谱仪测试了氧化钒薄膜的组分,并用X射线光电子谱中钒的特征峰V2P3/2的峰位移来判定薄膜中相组成的具体情况。为了提高所制备氧化钒薄膜的TCR值,实验采用RTP-500型快速热处理机对所制备的氧化钒薄膜样品进行了热处理。结果表明,退火温度和时间对氧化钒薄膜TCR有重要影响,得到了氧化钒薄膜退火后TCR与退火温度和时间的关系曲线。结果表明,氧化钒薄膜的TCR值经热处理都在-2%/K附近,最高的可达-3.6%/K。