磁控溅射法制备硒化铟薄膜与性能研究

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【摘要】

：

In2Se3属于Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体,具有二维层状结构,使其拥有独特的性能,在光电材料,相变存储介质,光传感器等领域具有广阔应用前景。In2Se3具有α、β、γ δ、κ五中晶体结构,各相之间生成能差异很小,因此单相的In2Se3(?)艰难获得。现有制备In2Se3薄膜普遍存在结晶质量差,成分偏离化学计量比,不同课题组获得的In2Se3薄膜的光电性能差异很大。制备高质量单相In2Se3薄膜的工艺条件

【作者】

：

李莎莎

【机构】

：

西南交通大学

【发表日期】

：

2014年05期

【关键词】

：

磁控溅射 In2Se3薄膜相结构光透过率禁带宽度

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