一种结隔离互补双极工艺的研究及其在高速运算放大器中的运用

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【摘要】

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该文介绍了互补双极工艺的发展过程、相关技术以及互补双极工艺与高速运算放大器的性能的关系.从晶体管的理论上,特别对影响模拟集成电路性能的主要参数(厄尔电压、截止频率

【作者】

：

刘先锋

【机构】

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电子科技大学

【出处】

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电子科技大学

【发表日期】

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1999年期

【关键词】

：

互补双极工艺高速运算放大器模拟集成电路 NPN PNP

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该文介绍了互补双极工艺的发展过程、相关技术以及互补双极工艺与高速运算放大器的性能的关系.从晶体管的理论上,特别对影响模拟集成电路性能的主要参数(厄尔电压、截止频率、电流放大系数)进行了详细的分析,由于NPN和PNP参与导电的主要载流子的迁移率不同,从器件结构和工艺上对NPN和PNP采取了不同的措施进行了优化设计,使兼容工艺中NPN和PNP的性能一致.

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