GaN材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、电子饱和速度大、击穿电场高等优点，基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)最近十几年成为了微波功率器件及电路领域的研究热点，其在微波大功率及高温应用领域均具有显著优势。本文在此背景下对AlGaN/GaN HEMT器件的小信号模型与大信号模型进行了广泛且较为深入的研究，主要研究工作和成果如下：首先，本文给出了自主研发的AlGaN/GaN HEMT器件的完整工艺流程，在SiC衬底上制造出了具有良好特性的AlGaN/GaN HEMT器件；其次，本文对自行研制的AlGaN/GaN HEMT器件的直流IV特性及小信号S参数特性进行了测试及分析，基于自行研制的AlGaN/GaN HEMT器件的自身特点，给出了适用的小信号模型拓扑结构及相应的模型参数提取方法，建立了精度符合要求的小信号模型，并在此基础上对器件的主要非线性元件进行表征，且加入了显著影响器件特性的频散效应，进而建立了AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型。最后，测试了AlGaN/GaN HEMT器件不同环境温度下的小信号S参数，分析了器件小信号模型参数随环境变化的情况，并给出了受环境温度影响显著的模型参数随环境温度变化的数学拟合表达式，建立了AlGaN/GaN HEMT器件可变温小信号模型。综上所述，本文对自主研制的AlGaN/GaN HEMT器件进行了小信号与大信号模型研究，并建立了可变温小信号模型，取得了较为满意的研究结果。