本论文对半导体桥(SCB)点火技术中等离子体的电子密度，进行了深入系统的研究，采用三个不同的测试方法，分别测量了SCB等离子体的电子密度，并讨论了测试环境对测定结果的影响。具体研究如下： (1)利用Acton Spectrapro．2750型双光栅光谱仪，在局部热力学平衡条件下，用Al I 394.40nm谱线Stark展宽法，测量了SCB等离子体的电子密度，电子密度的变化范围为4.32×10<16>cm<-3>-0.89×10<16>cm<-3>，并得到了电子密度随时间的变化规律； (2)利用Saha方程法理论，根据在SCB等离子体发射光谱研究中发现的谱线Si I 390.55nm和Si Ⅱ 413.09nm，设计并完成了Saha方程法测量系统。系统的时间分辨率达到0.1μs，解决了国内现有的多通道光学分析仪(OMA)测量SCB等离子体的电子密度时，时间分辨率不够的问题； (3)利用Saha方程法测量系统，在不同的能量输入下，对两种不同的SCB(陶瓷塞和塑料塞)产生的等离子体的电子密度，进行了测试和讨论。该系统测量的电子密度与A1 I 394.40nm谱线Stark展宽法的结果在同一数量级上，均为10<15>cm-10<16>cm<-3>，并且变化规律相同，实现了两种测量方法的相互验证； (4)在不同能量输入下，利用压力传感器(CY-YD-205)测量了陶瓷塞SCB在一定体积密闭容器内产生的压力；推导了适合SCB等离子体的压力方程，并建立了压力和电子密度的关系，得到最大电子密度的数量级为10<18>cm<-3>，比Al I 394.40nm谱线Stark展宽法和Saha方程法测量结果大二到三个数量级。