【摘 要】
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随着半导体产业的发展,片上系统的应用范围越来越广。电源模块电路是片上系统中十分重要的模块,带隙基准电路和低压差线性稳压器在其中承担很重要的角色,广泛应用到各种电路中。带隙基准电路提供一个与工艺、电压和温度无关的基准电压,而低压差稳压器LDO在这个基准电压的基础上,输出电压值更大的稳定电压,同时带有很强的电流驱动能力。本课题采用IHP 0.13μm BiCMOS工艺进行光接收机前端电路中的带隙基准电
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随着半导体产业的发展,片上系统的应用范围越来越广。电源模块电路是片上系统中十分重要的模块,带隙基准电路和低压差线性稳压器在其中承担很重要的角色,广泛应用到各种电路中。带隙基准电路提供一个与工艺、电压和温度无关的基准电压,而低压差稳压器LDO在这个基准电压的基础上,输出电压值更大的稳定电压,同时带有很强的电流驱动能力。本课题采用IHP 0.13μm BiCMOS工艺进行光接收机前端电路中的带隙基准电路和LDO电路的设计。本文先介绍了带隙基准电压源和低压差线性稳压器LDO的设计原理和性能指标。然后,先后完成带隙基准电压源和LDO的原理图设计,并进行前仿真,确保仿真结果满足指标要求。最后,介绍模拟电路的版图设计的基本原则,针对带隙基准电压源和LDO的版图设计分别提出注意事项,并提取版图的寄生参数、进行后仿真,将前后仿真的结果与指标要求进行对比与分析。最终确保带隙基准电压源和LDO的性能满足预设的指标要求。后仿真结果显示:带隙基准电压源的输出基准电压的温度系数约为19ppm/℃,在低频处的电源电压抑制比PSRR约为-70.22dB,线性调整率约为0.22%,满足性能指标要求;低压差线性稳压器LDO所消耗的静态电流约为112.6μA,负载调整率约为7.17%,线性调整率约为0.02%,低频时的电源电压抑制比PSRR约为-74.09dB,满足性能指标要求。
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