一维金属纳米线阵列的制备及其光学性能研究

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一维金属纳米材料在微纳器件、超强韧性的复合材料、新型探针等领域具有广泛的应用前景,其中一维贵金属纳米材料由于其独特的电子结构和形貌上的各向异性成为了纳米材料研究领域的焦点之一。贵金属Ag纳米线/Au纳米棒阵列具有光学偏振性能,这引起了众多研究者的关注。本论文围绕着Ag纳米线/Au纳米棒的定向组装及性能进行研究,成功地制备出了大量的Ag纳米线和Au纳米棒,然后在玻璃基板表面进行提拉镀膜制备出含有Ag纳米线/Au纳米棒阵列的薄膜并对定向效果、薄膜偏振性能以及纳米线定向机理进行了系统研究,得到的主要结论如下:1.利用溶剂热法制备出长约10μm、直径70-80nm的Ag纳米线;采用晶种法制备出长40-50nm、直径约10nm的Au纳米棒。紫外-可见吸收光谱测试结果表明,Ag纳米线的纵向吸收峰位于近红外波段,而Au纳米棒的纵向吸收峰处于650-1100nm波段内,这是制备从可见-近红外波段具有偏振效果的纳米线/纳米棒阵列的前提条件。2.利用PVP/乙醇溶液作为分散溶液,通过提拉镀膜法实现了Ag纳米线定向阵列膜的制备。实验表明:分散溶液的粘度对Ag纳米线的定向具有重要的影响,粘度大的分散溶液更有利于Ag纳米线的定向。当粘度一定(216mPa·s)时,提拉速度越大,Ag纳米线的排列密度越大且定向效果越好,但是当速度增大到临界值(65mm/min)时,Ag纳米线定向排列的效果将变差,薄膜内出现Ag纳米线杂乱无章的沉积。对于一次提拉定向组装Ag纳米线的最佳工艺参数:分散溶液粘度530mPa·s、提拉速度10mm/min;对于多次提拉制备Ag纳米线阵列的最佳工艺参数:分散溶液粘度530mPa·s、提拉速度3mm/min、提拉次数为3次。另外,经多次提拉制备的Ag纳米线阵列比一次提拉制备出的Ag纳米线阵列的定向效果佳。3.通过偏光光谱测试表明:提拉镀膜法能够定向排列Ag纳米线且制备出的薄膜在1000-1900nm波段具有光学偏振性能。4.利用PVP/乙醇溶液作为分散溶液,通过提拉镀膜法实现了Au纳米棒定向阵列膜的制备。最佳工艺参数为:分散溶液粘度60mPa·s,提拉速度15mm/min,镀膜次数为1次,制备得到的薄膜样品在650-1100nm波段表现出明显的光学偏振性能。在外加电场辅助下制备Au纳米棒定向膜,Au纳米棒的定向效果得到改善。
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