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随着开关电源和功率因数校正(Power Factor Correction,PFC)技术在医疗器械、三维打印和航空航天等领域广泛应用,能够有效提高电源电能质量和利用率。然而,开关电源MOSFET和IGBT等半导体器件会产生较高的瞬态电流变化率和电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)噪声,严重影响电子设备的正常工作和空间电磁环境。针对上述问题,本文建立了临界工作模式下Boost PFC辐射EMI噪声模型,揭示了半导体器件高频电流引起的辐射噪声机理,提出能够有效抑制高频噪声的Boost电感电流反冲设计方法,为开关电源高频噪声抑制和空间电磁环境治理提供理论和实验依据,具体包括:1.分析了 PFC电路的Buck、Boost和Buck-boost不同拓扑结构,及其等效电路模型,研究了电路断续、连续和临界工作模式的控制原理,对比分析了不同电路拓扑和工作模式的优劣性,包括功率因数和电流瞬态变化率。2.建立了临界工作模式下Boost PFC电路的辐射EMI模型,提取了 Boost PFC开关器件引起的高频噪声电流,揭示了 Boost电感和高频电流引起的辐射EMI噪声机理,并利用亥姆霍兹方程、洛伦兹条件、推迟势方程、电流密度和能流密度函数建立电场辐射EMI和磁场辐射EMI噪声的解析方程。3.提出了基于电感电流反冲的Boost PFC电路辐射EMI噪声抑制方法,研究了 Boost电感和寄生电容对电感电流反冲、瞬态电流变化率和辐射EMI噪声的影响,并搭建了基于L6564H芯片的BoostPFC硬件电路,开展了基于RE101(磁场辐射)和RE 102 (电场辐射)的电路EMI标准检测实验。理论分析和实验结果表明:本文设计的Boost电感电流反冲方法能够有效抑制临界模式下Boost PFC电路的辐射EMI噪声,在25 Hz-100 kHz频段内,磁场辐射EMI噪声能够降低2 dBpT;在100 kHz-5 MHz频段内,辐射EMI噪声能够降低20 dBμV/m,验证了临界工作模式下BoostPFC电路的辐射EMI模型,为开关电源高频噪声抑制和空间电磁环境治理提供理论和实验依据。