近年来随着工业技术的发展和人类环保意识的增强，气敏传感器的研究越来越受到人们的重视。多孔硅作为一种室温气敏材料，由于其简单的制备方法和独特的微观结构，被广泛研究用于低功耗室温气敏传感器；而氧化钨由于较好的气敏性能也受到越来越到的关注。本文在研究了n型有序多孔硅的制备和气敏特性的基础上，对n型有序多孔硅与氧化钨薄膜复合结构的气敏性质和机理进行了研究。利用双槽电化学腐蚀法制备孔径在50-200nm左右的n型多孔硅并进行了气敏测试。实验结果表明，多孔硅孔径和厚度都会随着电流密度的增大而增大，电流密度较小时主孔会分支出侧孔，电流密度为120mA·cm-2时形成孔壁比较光滑的有序多孔硅，当腐蚀电流密度超过140mA·cm-2时就形成电抛光；腐蚀时间的增长主要引起多孔硅层厚度的增大，也会使孔径稍微变大，更加光滑。电流密度120mA·cm-2腐蚀时间25min的样品对1ppmNO2和50ppmNH3灵敏度分别是3.37和5.09。以有序多孔硅为基底，在其表面采用直流磁控溅射法沉积氧化钨薄膜，制备复合结构气敏传感器并进行气敏测试。结果表明，溅射时间为10min的样品对1ppm的NO2气体灵敏度达到19.14。复合结构对NO2的选择性明显好于NH3和多种有机物蒸汽。复合结构吸附NO2气体后出现的反常的电阻变化可能是由于氧化钨表面形成的反型层引起的，复合之后形成的异质结处会产生大量的缺陷和表面态，导致灵敏度的提高。