NTCR由于具有负系数的阻温特性以及体积小、可靠性强、灵敏度高、成本较低等优点,被广泛的应用在电子产品的过流保护、测温控温和温度的补偿等过程中,已成为航空航天、仪器仪表等领域不可缺少的电子元器件之一。随着科技进步,对工作在某些恶劣环境中电子元器件的性能有了更严格的要求,其中就包括高温NTC热敏电阻的开发,这就要求材料具有高阻值低B值的基本性质,而传统的NTC热敏电阻采用尖晶石结构,但是这种结构在高温下稳定性并不是很好。研究发现,钙钛矿结构的稀土锰氧化物型具有NTC效应,且钙钛矿结构紧密,稳定性强,但其室温电阻率非常小。因此本文采用LaMnO₃为材料导电的主体结构,与尖晶石结构的高温固溶相MgAl₂O₄进行两相的复合,通过两相调节和元素的掺杂,采用高温固相法制备NTC热敏元件。首先探索两相粉末样品的烧结工艺,分别在几个温度下对粉体进行高温预烧,经过XRD衍射分析,在1200℃成功制备出LaMnO₃粉末样品,在1300℃制备出MgAl₂O₄粉末样品。粉体样品制备成功后,又研究在LaMnO₃相内引入MgAl₂O₄带来的影响,经过几组实验对比发现MgAl₂O₄的引入提高了元件的电阻率和B值。为了得到合适的室温电阻率,我们调节两相的比例,得到MgAl₂O₄和LaMnO₃的摩尔比例为0.3-0.7时较为合适。另外,我们将元件进行了弱还原气氛中的热处理,以及再次在空气中的升温,经测试,元件阻值先明显增大然后又基本恢复热处理前的水平,可以说明这种复合体系的元件是p型导电的。然后,在0.3 MgAl₂O₄-0.7 LaMn O₃体系的基础上,通过在LaMnO₃的Mn位也就是钙钛矿结构的B位进行Cr³⁺、Al³⁺和Ti⁴⁺的掺杂,研究掺杂元素对元件室温电阻率和B值以及使用温区拓展情况的影响。实验结果表明,Cr³⁺和Al³⁺在B位的掺杂都可以使晶粒尺寸细化,同时晶界增多,气孔率也有所增加,使得元件电阻率和B值有所增大,0.3 MgAl₂O₄-0.7 LaMn_0.5Cr_0.5O₃体系的使用温区拓宽到445℃。Ti⁴⁺的高价掺杂不仅抑制晶粒晶界生长,且稀释了离子导电对浓度,B位掺杂量超过0.4时,掺杂效果减弱,使得元件室温电阻率大幅度上升。