氧化锌是典型的第三代半导体材料，它具有3.37eV的禁带宽度，60meV的激子束缚能，属于II-VI族半导体。氧化锌具有独特的压电、电学以及光学记忆特性，因此氧化锌在传感器、激光系统、导电记忆元件等中具有广阔的应用前景。目前掺杂是一种提高氧化锌薄膜光电性能的有效方法。因此本文采用磁控溅射法制备锂掺杂氧化锌薄膜，并研究其光学性能与电学性能。所制备出的锂掺杂氧化锌薄膜均为六角纤锌矿结构，有良好的c轴取向。锂掺杂氧化锌薄膜在可见光波段具有良好的透光率，紫外吸收边陡峭。光致发光谱结果显示，锂掺杂氧化锌在390nm、408nm、434nm、465nm处有受激发射。锂掺杂氧化锌薄膜为n型半导体，这是由于锂进入晶格中，形成Lizn-Lii复合施主所致。研究表明提高退火温度和生长温度，都将有利于提高薄膜的结晶性。同时由于高温下Lizn-Lii复合施主转换为Lizn受主，因此锂掺杂氧化锌薄膜的载流子浓度均随退火温度和生长温度的上升而减小。高温会对原子之间的轨道杂化及缺陷性能产生影响，因此光致发光强度随退火温度与生长温度的升高而减小。研究表明氩氧比为10:1时，锂掺杂氧化锌薄膜的结晶性最好。同时随着氧气含量的逐渐增大，锂掺杂氧化锌薄膜的禁带宽度逐渐变小。当氩氧比为10:1时，锂掺杂氧化锌薄膜的载流子浓度最小，这说明氩氧比为10:1的生长气氛，可以最大限度形成受主能级减少施主能级。