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场发射平板显示技术是实现阴极射线管显示平板化的方案之一,其核心技术是可低压驱动的高亮度场发射阴极。文中提出了一种结合了Spindt微尖和传统金属-氧化物-半导体(MOS)结构两者的优点的新型的场发射阴极结构,即利用钛酸钡薄膜代替MOS结构中的氧化物绝缘层,用具有微孔网状结构的薄金属膜作为栅极代替MOS结构中的金属层。本文使用射频磁控溅射法沉积钛酸钡薄膜在硅衬底上,之后再在此基础上沉积大约15nm厚的金膜作为栅极。利用扫描电子显微镜、能量色散分析仪和X射线衍射仪对薄膜进行了表征。在高真空腔内进行的场发