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本论文采用低压等离子体化学气相沉积方法(LPP-CVD),分别在四甲基硅烷(TMS)、反式二丁烯(T2B)、氢气(H2)混合气体下,成功的制备出了掺硅氢化非晶碳(a-C：H)薄膜。利用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)、紫外-可见光谱(UV-VIS)等测试手段,对薄膜的沉积速率、成分、微观结构及光学等性能进行了测试和表征,建立了薄膜的沉积速率、成分、微观结构及性能与制备工艺参数的关系,获得了优化的工艺参数。研究了主要参量(如源气体流量比、工作气压、射频功率等